晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

题目
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

相似考题

1.晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

2.硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。

3.NPN三极管放大导通必须满足这样的条件,即()。A、发射极加正向电压，集电极加反向电压B、发射极加反向电压，集电极加正向电压C、集电结加正向电压，发射结加反向电压D、集电结加反向电压，发射结加正向电压

4.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

更多“晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。 ”相关问题

  • 第1题：

    4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。


    错误

  • 第2题：

    5、硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。


    C

  • 第3题：

    关于三极管输入特性曲线的特点，下面描述正确的是（）。

    A．硅三极管导通压降约为0.3V，锗约为0.7V。

    B．三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个开启电压。

    C．三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个导通电压。

    D．三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有二种状态，即截止状态和导通状态。


    三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个开启电压。;三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个导通电压。;三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有二种状态，即截止状态和导通状态。

  • 第4题：

    41、晶体三极管放大导通时发射结正偏，集电结反偏见；饱和导通时发射正偏见，集电也正偏。


    ×

  • 第5题：

    二极管的伏安特性可简单理解为 导通， 截止的特性。


    电压
    ?
    电流
    ?
    死区电压

相关内容