DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？

题目

DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？

相似考题

1.常用的刷新方式不包括()A、集中式刷新B、分散式刷新C、同步刷新D、透明刷新

2.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

3.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

4.有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

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  • 第1题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第2题：

    下列关于DRAM的叙述，正确的是

    A.DRAM是一种随机存储器

    B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.DRAM是一种半导体存储器

    E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABCD

  • 第3题：

    用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？


    正确答案:因为要求CPU在1μs内至少要访存一次，所以不能使用集中刷新方式，分散和异步刷新方式都可以使用，但异步刷新方式比较合理。
    相邻两行之间的刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs。取15.5μs，即进行读或写操作31次之后刷新一行。
    对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间＝0.5μs×128＝64μs。

  • 第4题：

    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


    正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

  • 第5题：

    静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？


    正确答案: 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
    动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
    由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
    动态存储器的刷新方式通常有：
    集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。

  • 第6题：

    什么是刷新？为什么要刷新？有哪几种常用的刷新方式？


    正确答案: 对动态存储器要每隔一定时间（通常是2ms）给全部基本存储元的存储电容补充一次电荷，称为RAM的刷新，2ms是刷新间隔时间。
    由于存放信息的电荷会有泄漏，动态存储器的电荷不能象静态存储器电路那样，由电源经负载管源源不断地补充，时间一长，就会丢失信息，所以必须刷新。
    常用的刷新方式有两种：集中式刷新、分布式刷新。

  • 第7题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第8题：

    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？


    正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第9题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？

    正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？

    正确答案： 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
    动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
    由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
    动态存储器的刷新方式通常有：
    集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。
    A

    128

    B

    256

    C

    1024

    D

    16384


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在存储器系列中,需要定时刷新的器件有哪些()。

    A、EPROM

    B、DRAM;

    C、SRAM;

    D、SAM


    参考答案：BD

  • 第14题：

    动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。

    A.集中刷新
    B.分散刷新
    C.同步刷新
    D.异步式刷新

    答案：A,B,D
    解析：
    ①集中式--正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。特点：存在一段停止读/写操作的死时间，适用于高速存储器②分散式--将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。特点：不存在停止读/写操作的死时间但系统运行速度降低。③异步式--前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第15题：

    刷新存储器的重要性能指标是它的带宽，若显示工作方式采用分辨率为1024╳1024，颜色深度为24位，帧频（刷新速率）为72Hz，求刷新存储器的容量是多少？


    正确答案: 因为刷存容量=分辨率×颜色深度×刷新速率
    所以1024×1024×3B=3072KB=3MB

  • 第16题：

    某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。

    • A、128
    • B、256
    • C、1024
    • D、16384

    正确答案:A

  • 第17题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第18题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第19题：

    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。

    • A、按位结构方式存储
    • B、按字结构方式存储
    • C、信息在存储介质中移动
    • D、每隔一定时间进行一次刷新

    正确答案:D

  • 第20题：

    问答题
    用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？

    正确答案： 因为要求CPU在1μs内至少要访存一次，所以不能使用集中刷新方式，分散和异步刷新方式都可以使用，但异步刷新方式比较合理。
    相邻两行之间的刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs。取15.5μs，即进行读或写操作31次之后刷新一行。
    对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间＝0.5μs×128＝64μs。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    什么是刷新？为什么要刷新？有哪几种常用的刷新方式？

    正确答案： 对动态存储器要每隔一定时间（通常是2ms）给全部基本存储元的存储电容补充一次电荷，称为RAM的刷新，2ms是刷新间隔时间。
    由于存放信息的电荷会有泄漏，动态存储器的电荷不能象静态存储器电路那样，由电源经负载管源源不断地补充，时间一长，就会丢失信息，所以必须刷新。
    常用的刷新方式有两种：集中式刷新、分布式刷新。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？

    正确答案： DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。
    解析： 暂无解析

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