位错的基本类型有两种,它们是()位错和()位错,有多余半个原子面是()位错所特有的。
第1题:
位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移,其中()。
第2题:
试述在晶体中插入柱状半原子面时能否形成位错环?
第3题:
Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是()
第4题:
线缺陷其实就是位错,而位错通常由两种类型即()和()位错。
第5题:
位错的类型分为螺型位错和()位错。
第6题:
第7题:
弗兰克位错
肖克莱位错
螺型全位错
第8题:
间隙原子
位错
晶界
第9题:
第10题:
点缺陷
面缺陷
位错
亚晶界
第11题:
对
错
第12题:
溶质原子再扩散到位错周围
位错增殖的结果
位错密度降低的结果
第13题:
层错和不完全位错之间的关系是()
第14题:
试述位错的基本类型及其特点。
第15题:
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
第16题:
b与位错线()的位错称为刃位错,可用符号()表示;b 与位错线()的位错称为螺位错
第17题:
位错的运动形式有哪些?阻碍位错运动的因素有哪些?
第18题:
原子扩散速度大于位错速度,且流动性暂时降低
原子扩散速度小于位错速度,且流动性暂时降低
原子扩散速度大于位错速度,且流动性暂时增加
原子扩散速度小于位错速度,且流动性暂时增加
第19题:
位错
层错
肖特基缺陷
螺旋位错
第20题:
第21题:
第22题:
由于位错不断移出滑移面,位错密度随形变量的增加而减少
由于位错的增殖,位错密度随形变量的增加而增高
由于晶界不断吸收位错,位错密度随形变量的增加而减少
由于位错的消失(移出滑移面)和增殖的共同作用,位错的密度基本不变
第23题: