晶体管的专利申请时间是（）。A、1945年B、1946年C、1947年D、1948年

第1题：

晶体管关断时间：从输入信号消失开始到输出信号下降其幅值的（）为止的时间。

• A、50％
• B、40％
• C、30％
• D、10％

第2题：

专利申请许可合同签订的时间是（）

• A、专利申请之前
• B、专利申请日确定之后
• C、专利被批准之后
• D、专利申请之后

第3题：

跟DRAM相比，SRAM的特点是（）

• A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高
• B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高
• C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高
• D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低

第4题：

焊接晶体管时，正确的操作方法是（）。

• A、可长时间加温
• B、焊接时间不宜过长
• C、电烙铁功率越大越好
• D、焊锡越多越好

第5题：

晶体管的开关时间是指（）。

• A、开通时间
• B、关闭时间
• C、开通时间与关闭时间的总称
• D、晶体管的存储时间

第6题：

晶体管式时间继电器是根据RC电路充放电原理获得延时动作的。

第7题：

在晶体管调压器中，当发电机电压升高时，晶体管处于：（）.

• A、导通时间长，截止时间短
• B、导通时间短，截止时间长
• C、导通时间和截止时间都短
• D、导通时间和截止时间都长

第8题：

晶体管继电保护装置中，各种延时电路是利用电容充电或放电需要一定的时间的原理配合晶体管开关特性而构成的。

第9题：

单结晶体管触发电路输出的脉冲宽度主要决定于（）

• A、单结晶体管的特性
• B、电源电压的高低
• C、电容的放电时间常数
• D、电容的充电时间常数

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

单结晶体管触发电路输出脉冲的幅度取决于（）。

• A、触发电路的充、放电时间常数
• B、单结晶体管的谷点电流
• C、单结晶体管的分压比
• D、单结晶体管的谷点电压

第14题：

我国确定专利申请的时间以（）为单位。

• A、小时
• B、半天
• C、天
• D、周

第15题：

晶体管点火装置不需校正点火时间。

第16题：

功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？

第17题：

在采购功率双极晶体管时，必须提供的两个最主要的参数是（）

• A、集电极最大持续电流
• B、关断时间
• C、电流时间
• D、开路阻断电压

第18题：

晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）.

• A、晶体管的相对导通时间
• B、晶体管的导通时间
• C、晶体管的截止时间
• D、晶体管的相对截止时间

第19题：

晶体管调压器中，晶体管的占空比：（）

• A、与晶体管的相对导通时间成正比；
• B、与晶体管的导通时间成正比；
• C、与晶体管的截止时间成正比；
• D、与晶体管的相对截止时间成正比。

第20题：

时间继电器按动作原理可分为（）及空气式等几大类。

• A、电动式、晶体管式
• B、电磁阻尼式、晶体管式
• C、电磁阻尼式、电动式、晶体管式

第21题：

时间继电器按其动作原理可分为（）及空气式等几大类。

• A、电动式、晶体管式
• B、电磁阻尼式、晶体管式
• C、电磁阻尼式、电动式、晶体管式
• D、电动式、电磁阻尼式

第22题：

第23题：