多选题现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。AMOSFETBIGBTC晶闸管DGTR

题目
多选题
现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。
A

MOSFET

B

IGBT

C

晶闸管

D

GTR

相似考题

1.高频开关电源中,常的电力电子器件为()。A.GTRB.MOSFETC.IGBTD.GTO

2.()是功率半导体器件的特点。A、大电流B、小电流C、大功率D、小功率

3.目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()此题为判断题(对，错)。

4.电力电子电路一般都由功率半导体器件组成。()

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  • 第1题：

    下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。

    A、功率半导体器件处于开关状态

    B、导通管压降低

    C、漏电流很大

    D、管子导通时，相当于短路


    正确答案:C

  • 第2题：

    高频开关电源同()的配合使用,可保证直流通信设备的不间断供电。


    参考答案：蓄电池

  • 第3题：

    晶闸管又叫（），它是一种大功率半导体器件。


    正确答案:可控硅

  • 第4题：

    开关电源的原理中，零电压开关转换是为（）.

    • A、降低功率器件开关时的功率损耗；
    • B、降低功率器件的电压；
    • C、降低功率器件的负载；
    • D、降低功率器件的电流.

    正确答案:A

  • 第5题：

    逆变器的功率半导体器件采用IGBT。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    高频开关电源中，常用的电力电子器件为（）

    • A、二极管
    • B、MOSFET、IGBT
    • C、电感
    • D、电容

    正确答案:B

  • 第7题：

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。

    • A、晶闸管
    • B、可控硅
    • C、功率集成器件
    • D、晶体管

    正确答案:C

  • 第8题：

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。


    正确答案:错误

  • 第9题：

    高频开关电源中，常的电力电子器件为（）。

    • A、GTR
    • B、MOSFET
    • C、IGBT
    • D、GTO

    正确答案:B,C

  • 第10题：

    常见功率半导体器件有：电力二极管、电力三极管、晶闸管、（）、（）。


    正确答案:场效应管；绝缘栅双极晶体管

  • 第11题：

    填空题
    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有（）以及两者混合管，功率集成器件等。

    正确答案： 功率MOSFET，IGBT管
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    功率器件上的伏安乘积就是功率半导体器件上所产生的损耗。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。

    A、GTR

    B、SCR

    C、IGBT

    D、GTO


    参考答案：C

  • 第14题：

    简述《铁路通信维护规则》中高频开关电源年度维修项目。


    参考答案：(1)直流工作地线、保护地线外观及连接强度检查
    (2)限流功能试验
    (3)直流负载电流测试及熔丝容量核对检查
    (4)直流供电回路全程电压降测试
    (5)系统参数设置值检查核对
    (6)告警功能试验

  • 第15题：

    通信高频开关电源整流模块应按什么原则配置？


    正确答案: N＋1原则

  • 第16题：

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有（）以及两者混合管，功率集成器件等。


    正确答案:功率MOSFET，IGBT管

  • 第17题：

    根据通信用高频开关电源标准规定，高频开关电源的工作温度范围是：（）

    • A、5℃—40℃
    • B、-5℃—35℃
    • C、0℃—40℃
    • D、0℃—35℃

    正确答案:A

  • 第18题：

    晶闸管是一种（）器件，它具有体积小、重量轻、耐压高、效率高、容量大、使用简单和控制灵活等优点。

    • A、大功率半导体
    • B、小功率半导体
    • C、大功率电阻
    • D、小功率电阻

    正确答案:A

  • 第19题：

    根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第20题：

    现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、晶闸管
    • D、GTR

    正确答案:A,B,C,D

  • 第21题：

    根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第22题：

    判断题
    逆变器的功率半导体器件采用IGBT。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    下列属于电流驱动型功率半导体器件的是（）。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    功率MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

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