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第1题：
电子雪崩是如何形成的？
正确答案:气体中的电子在强电场的作用下，它由负电极向正极高速运动，电子在高速运动过程中与中性分子碰撞而产生电离，形成正离子和电子。若电场足够强，则一个电子在高速运动过程中因碰撞而产生若干对正离子和电子。这些新产生的电子又在强电场作用下形成高速运动，碰撞电离又产生更多的正离子和电子，从而形成电子雪崩式地快速增长，称为电子雪崩过程。 -
第2题：
下列雪崩逃生措施正确的是（）。
- A、如果被雪崩赶上，切记闭口屏息
- B、具有极快的速度和巨大的力量
- C、抛弃身上所有笨重物件
- D、可以滑雪逃生
正确答案:A,B,C -
第3题：
简述雪崩和本征电击穿的区别。
正确答案:本征击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的，而“雪崩”击穿是考虑到高场强时，导电电子倍增过程逐渐达到难以忍受的程度，导致介质晶格破坏。 -
第4题：
雪崩倍增效应
正确答案:是在二极管的P-N结上加高反向电压形成的。此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的院子发生碰撞，使带价的电子得到能量，越过禁带到导带，产了新的电子-空穴对，如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。 -
第5题：
简述电子雪崩
正确答案: 气体中的电子在强电场的作用下，它由负电极向正极高速运动，电子在高速运动过程中与中性分子碰撞而产生电离，形成正离子和电子。若电场足够强，则一个电子在高速运动过程中因碰撞而产生若干对正离子和电子。这些新产生的电子又在强电场作用下形成高速运动，碰撞电离又产生更多的正离子和电子，从而形成电子雪崩式地快速增长，称为电子雪崩过程。 -
第6题：
齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
正确答案:5V；7V；负；正 -
第7题：
问答题简述雪崩光电二极管的工作原理？正确答案： 当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压（100~200V）时，在结区产生一个很强的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，在与原子碰撞时可使原子电离，而产生新的电子—空穴对。只要电场足够强，此过程就将继续下去，使PN结内电流急剧增加，达到载流子的雪崩倍增，这种现象称为雪崩倍增效应。解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。正确答案： 小,小解析： 暂无解析 -
第9题：
单选题PIN光电二极管，因无雪崩倍增作用，因此其雪崩倍增因子为（）。AG＞1
BG＜1
CG＝1
DG＝0
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题什么是雪崩效应？正确答案： 雪崩效应就是一种不稳定的平衡状态也是加密算法的一种特征，它指明文或密钥的少量变化会引起密文的很大变化，就像雪崩前，山上看上去很平静，但是只要有一点问题，就会造成一片大崩溃。
可以用在很多场合对于Hash码，雪崩效应是指少量消息位的变化会引起信息摘要的许多位变化。解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A灵敏度效应
B温度效应
C响应度效应
D雪崩效应
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述电子雪崩正确答案： 气体中的电子在强电场的作用下，它由负电极向正极高速运动，电子在高速运动过程中与中性分子碰撞而产生电离，形成正离子和电子。若电场足够强，则一个电子在高速运动过程中因碰撞而产生若干对正离子和电子。这些新产生的电子又在强电场作用下形成高速运动，碰撞电离又产生更多的正离子和电子，从而形成电子雪崩式地快速增长，称为电子雪崩过程。解析： 暂无解析 -
第13题：
关于雪崩下列说法正确的有（）。
- A、通常雪崩从山顶上暴发
- B、重量可达数百万吨
- C、具有极快的速度和巨大的力量
- D、雪崩产生巨大破坏力的根源在其重量
正确答案:A,B,C -
第14题：
DL/T822-2012《水电厂计算机监控系统试验验收规程》规定什么是雪崩处理能力？雪崩处理能力测试如何进行？
正确答案: 雪崩处理能力是指在一台现地控制单元（LCU）的事件顺序记录量输入的n个端子上同时发生状态变位时的处理能力。
雪崩处理能力测试时，先从现地控制单元的事件顺序记录量中任意抽选n点，接入同一状态量输入信号，再改变输入信号状态，依次检查所记录的事件名称应与所选测点名称一致且无遗漏，所记录的状态及事件发生时间应一致。
对于机组现地控制单元，宜选n＝8点；对于开关站及公用现地控制单元，宜选n＝32点。 -
第15题：
雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。
- A、灵敏度效应
- B、温度效应
- C、响应度效应
- D、雪崩效应
正确答案:D -
第16题：
简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
正确答案:在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。 -
第17题：
光接收机中，雪崩光电二极管引入的噪声为（）
- A、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声
- B、量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声
- C、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声
- D、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声
正确答案:D -
第18题：
名词解释题雪崩倍增效应正确答案： 是在二极管的P-N结上加高反向电压形成的。此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的院子发生碰撞，使带价的电子得到能量，越过禁带到导带，产了新的电子-空穴对，如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题试阐述电子雪崩现象的形成过程。正确答案： 在一个由细导线和管状或板状集尘极形成的非均匀电场中，当直流电压足够高时，气体中原有的自由电子被加速到某一很高的速度，并通过碰撞使气体中性分子电离成为新的自由电子和正离子。这种过程以“雪崩”的速度增加，在极短的时间发生了无数次，导致在放电极附近产生大量的自由电子和正离子，这一过程通常称为“电子雪崩”。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题什么是雪崩倍增效应？正确答案： 雪崩光电二极管工作时外加高反向偏压（约100~150V），在PN结内部形成一高电场区，入射光功率产生的电子空穴对经过高场区时不断被加速而获得很高的能量，这些高能量的电子或空穴在运动过程中与价带中的束缚电子碰撞，使晶格中的原子电离，产生新的电子空穴对。新的电子空穴对受到同样加速运动，又与原子碰撞电离，产生电子空穴对，称为二次电子空穴对。如此重复，使载流子和反向光生电流迅速增大，这个物理过程称为雪崩倍增效应。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应正确答案： 在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。解析： 暂无解析 -
第22题：
名词解释题雪崩效应正确答案： 当外电场撤除之后，绝缘再也不能恢复的叫做永久性击穿（或称为雪崩效应）。解析： 暂无解析 -
第23题：
判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题电子雪崩是如何形成的？正确答案： 气体中的电子在强电场的作用下，它由负电极向正极高速运动，电子在高速运动过程中与中性分子碰撞而产生电离，形成正离子和电子。若电场足够强，则一个电子在高速运动过程中因碰撞而产生若干对正离子和电子。这些新产生的电子又在强电场作用下形成高速运动，碰撞电离又产生更多的正离子和电子，从而形成电子雪崩式地快速增长，称为电子雪崩过程。解析： 暂无解析