对
错
第1题:
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时,二极管才能导通。
A、0V
B、0.5V
C、0.7V
第2题:
第3题:
二极管导通状态描述错误的是()
第4题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第5题:
二极管导通时,正向压降为0.7V。
第6题:
二极管两端加上正向电压时()
第7题:
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
第8题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第9题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第10题:
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。
第11题:
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。
第12题:
二极管的导通电压都是0.7V。
第13题:
第14题:
第15题:
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。
第16题:
硅二极管两端加上正向电压时()。
第17题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第18题:
在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。
第19题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第20题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第21题:
硅二极管的导通电压是0.7V()
第22题:
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
第23题:
硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。