标准安放包括21个电极准确位置
电极安放点代表大脑各个不同解剖位
在冠状位以双耳垂为基准
在矢状位上以鼻根和枕外粗隆为基准
包括额、中央、顶中线部位
第1题:
腮腺冠状位扫描技术的叙述,错误的是:()
第2题:
MRI扫描最易显示顶枕沟的扫描位置为()
第3题:
电极数量少
电极位置的排列与头的大小和形状成比例
与大脑解剖部位吻合
可以根据实际情况在此基础上省略某些电极,如新生儿最少可保留10个电极
参考导联可随意安放
第4题:
头皮表面两条基线的交点为Pz的位置
头皮表面两条基线的交叉点为Cz的位置
从鼻根向后10%为Fz的位置
枕外粗隆向上20%为Oz的位置
Oz与O1间距为20%
第5题:
标准安放包括21个电极准确位置
电极安放点代表大脑各个不同解剖位
在冠状位以双耳垂为基准
在矢状位上以鼻根和枕外粗隆为基准
包括额、中央、顶中线部位
第6题:
冠状位
斜冠状位
斜位
矢状位
横轴位
第7题:
小头畸形和正常儿不具可比性
电极的位置排列与头颅大小和形状呈比例
F7位于解剖区的前颞区
对于8/16导放大器,可以省略左右对称部位电极
A1、A2为耳电极,不包括在10-20系统内
第8题:
横轴位
矢状位
冠状位
斜冠状位
斜位
第9题:
在矢状位上以鼻根和枕后粗隆为基准
在冠状位以双耳垂为基准
标准安放包括21个电极准确位置
电极安放点代表大脑的各个不同解剖部位
包括额、中央、顶中线部位
第10题:
最多显示顶枕沟的扫描方向为()
第11题:
最易显示顶枕沟的扫描方向为()
第12题:
电极数量少
电极位置的排列与头的大小和形状成比例
与大脑解剖部位吻合
可以根据实际情况在此基础上省略某些电极,如新生儿最少可保留10个电极
参考导联可随意安放
第13题:
Oz与枕外粗隆的间距为20%
双耳前凹连线距左耳前凹10%处为T4电极位置
从鼻根向后20%处为FPz位置
从FPz位置向左10%为FP1,FP1向后每个电极间距为20%
O1与O2间距为10%
第14题:
O2与枕外粗隆的间距为20%
双耳前凹连线距左耳前凹10%处为T4电极位置
从鼻根向后20%处为FPz位置
从FP2位置向左10%为Fp1,Fp1向后每个电极间距为20%
01与02间距为10%
第15题:
常规为横断位、矢状位和冠状位
横断位扫描在矢状像上定位
横断位扫描层面与下鼻甲平行
冠状位扫描在矢状像上设定层面
冠状位扫描在横断位调整层面使其与鼻中隔平行
第16题:
患者俯卧或仰卧
头摆成顶颏位或颏顶位
头矢状面与床面垂直
扫描基准线为COR与听眶线垂直
扫描范围从颈后部到颈前部
第17题:
横轴位
矢状位
斜位
斜冠状位
冠状位
第18题:
双顶径
耳垂
颅骨标志
发际
枕骨大孔