晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只决定于Ucc和Rc

题目
晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。

A、随基极电流的增加而增加

B、随基极电流的增加而减小

C、与基极电流变化无关，只决定于Ucc和Rc

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1.当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于______。A.放大区B.饱和区C.截止区D.放大或饱和区

2.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）

3.如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管立刻被击穿。

4.晶体管的集电极最大允许电流UCM是指β下降到()值的()时的IC值,它是晶体管工作电流的上限。

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  • 第1题：

    7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）


    错误

  • 第2题：

    晶体管的集电极电流是受到基极电流控制的，集电极电流越大，它的基极电流也要越大，这一点就限制了整个器件的功率容量。


    正确

  • 第3题：

    2、晶体管的集电极电流是受到基极电流控制的，集电极电流越大，它的基极电流也要越大，这一点就限制了整个器件的功率容量。


    正确

  • 第4题：

    对于复合管的集电极最大允许电流，下面正确的描述是（）。

    A．各晶体管集电极最大允许电流

    B．前面管子的集电极最大允许电流

    C．后面管子的集电极最大允许电流

    D．各个晶体管的集电极最大允许电流


    后面管子的集电极最大允许电流

  • 第5题：

    2、当（）时双极型晶体管处于饱和状态。

    A．发射极正偏，集电极反偏

    B．发射极正偏，集电极正偏

    C．发射结正偏，集电结反偏

    D．发射结正偏，集电结正偏


    发射结正偏，集电结正偏

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