在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

题目
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度

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1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____A．温度B．杂质浓度C．掺杂工艺D．无

3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。A．杂质浓度B．温度C．本征半导体D．掺杂工艺

4.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

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  • 第1题：

    5、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于

    A．温度

    B．掺杂工艺

    C．掺杂浓度

    D．晶格缺陷


    B

  • 第2题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 （A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）

    A．AB

    B．BC

    C．CA

    D．CB


    杂质浓度

  • 第3题：

    8、在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。


    错误

  • 第4题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    A．掺杂浓度

    B．温度

    C．光照强度

    D．其它


    杂质浓度

  • 第5题：

    在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。


    C

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