杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

第1题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。

第2题：

在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。

第3题：

26、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。

第4题：

3、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。

第5题：

8、在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。