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  • 第1题:

    应用非结晶硅作为X线辐射转换器的成像系统是A.DR系统B.CR系统C.CT系统SXB

    应用非结晶硅作为X线辐射转换器的成像系统是

    A.DR系统

    B.CR系统

    C.CT系统

    D.MRl系统

    E.DSA系统


    正确答案:AE
    DR系统和DSA系统现均可应用非结晶硅的平板探测器。

  • 第2题:

    应用非结晶硅作为X线辐射转换器的成像系统是

    A.DR系统

    B.CR系统

    C.CT系统

    D.MRI系统

    E.DSA系统


    正确答案:AE
    AE。DR系统和DSA系统现均可应用非结晶硅的平板探测器。

  • 第3题:

    关于平板探测器的叙述,错误的是

    A.有直接转换型和间接转换型
    B.其极限分辨率比屏/片系统低
    C.其MTF、比屏/片系统低
    D.其DQE比屏/片系统高
    E.DQE比CR系统高

    答案:C
    解析:
    平板探测器的对比度传递能力在中低频区域高于屏/片系统。

  • 第4题:

    关于平板检测器的叙述,错误的是

    A.有直接转换型和间接转换型

    B.其极限分辨率比屏-片系统低

    C.其MTF比屏-片系统低

    D.其DQ正比屏-片系统高

    E.DQE比CR系统高


    正确答案:B

  • 第5题:

    关于平板检测器的叙述,错误的是

    A.有直接转换型和间接转换型

    B.其极限分辨率比屏/片系统低

    C.其MTF比屏/片系统低

    D.其DQE比屏/片系统高

    E.DQE比CR系统高


    正确答案:B
    B。平板检测器其极限分辨率比屏/片系统高。