抑制性突触后电位是A、去极化局部电位B、超极化局部电位C、具有全或无特征D、突触前膜递质释放减少所致E、突触后膜对Na+通透性增加所致

题目

抑制性突触后电位是

A、去极化局部电位

B、超极化局部电位

C、具有全或无特征

D、突触前膜递质释放减少所致

E、突触后膜对Na+通透性增加所致

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1.下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A．是局部去极化电位 B具有“全或无”性质C.是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

2.下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位

3.抑制性突触后电位A．是去极化局部电位B．有“全或无”性质C．是超极化局部电位D．是突触前膜递质释放量减少所致E．是突触后膜Na+通透性增加所致

4.抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、具有全或无性质C、是超极化局部电位D、是突触前膜递质释放量减少所致E、是突触后膜Na+通透性增加所致

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  • 第1题：

    突触前抑制是由于突触前膜 ( )

    A．兴奋性递质释放减少

    B．产生抑制性突触后电位

    C．释放抑制性递质

    D．递质耗竭

    E．产生超极化


    正确答案：A
    通过改变突触前膜的活动，最终使突触后神经元兴奋性降低，从而引起抑制的现象叫做突触前抑制。机制是突触前膜被兴奋性递质去极化，使膜电位绝对值减少，当其发生兴奋时动作电位的幅度减少，释放的兴奋性递质减少，导致兴奋性突触后电位(EPSP)减少，表现为抑制。特点是抑制发生的部位是突触前膜，电位为去极化而不是超极化，潜伏期长，持续时间长。

  • 第2题：

    抑制性突触后电位

    A．是去极化局部电位

    B．是超极化局部电位

    C．具有全或无特征

    D．是突触前膜递质释放减少所致

    E．是突触后膜对Na+通透性增加所致


    正确答案：B

  • 第3题：

    抑制性突触后电位是

    A．去极化局部电位

    B．超极化局部电位

    C．具有全或无特性

    D．突触后膜Na+通透性增加所致

    E．突触前膜递质释放减少所致


    正确答案：B

  • 第4题：

    抑制性突触后电位( )

    A.是去极化局部电位
    B.有“全或无”性质
    C.是超极化局部电位
    D.是突触前膜递质释放量减少所致

    答案：C
    解析：
    抑制性突触后电位是抑制性突触传递中，抑制性递质使突触后膜对Cl-或K+通透性增加，从而产生的超极化局部电位。由于是局部电位，故不可能是“全或无”的。

  • 第5题：

    下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

    A.是局部除极化电位
    B.具有"全或无"性质
    C.是局部超极化电位
    D.由突触前膜递质释放量减少所致
    E.由突触后膜对钠通透性增加所致

    答案：C
    解析：
    抑制性突触后电位(IPSP)的发生机制是某种抑制性递质作用于突触后膜时，导致氯离子通道开放，氯离子内流，从而使膜电位发生超极化。因此，IPSP属于局部超极化，而非除极化，也不具有"全或无"性质（这是动作电位的特征），不是因突触前膜递质释放量不足，而是足够量的抑制性递质。突触后膜对氯离子通透性增加，也可能有钠的通透性减少。

  • 第6题：

    突触后膜超极化

    A.突触前膜去极化
    B.突触前膜外的Ca2+内流
    C.递质释放
    D.产生突触后电位
    E.抑制性突触后电位

    答案：E
    解析：
    突触后膜的超极化电位称为抑制性突触后电位IPSP。

  • 第7题：

    关于抑制性突触后电位，以下正确的是

    A.是局部去极化电位
    B.是局部超极化电位
    C.由突触前膜递质释放量减少所致
    D.由突触后膜对钠通透性增加所致

    答案：B
    解析：

  • 第8题：

    关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。

    A.具有全或无性质
    B.属去极化局部电位
    C.由突触后膜对Na+通透性增加所致
    D.属超极化局部电位
    E.由突触前膜递质释放量减少所致

    答案：D
    解析：
    【应试指导】抑制性突触后电位是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化。

  • 第9题：

    抑制性突触后电位（）

    • A、是去极化局部电位
    • B、是超极化局部电位
    • C、具有全或无特征
    • D、是突触前膜递质释放减少所致
    • E、是突触后膜对Na通透性增加所致

    正确答案:B

  • 第10题：

    单选题
    抑制性突触后电位（）
    A

    是去极化局部电位

    B

    是超极化局部电位

    C

    具有全或无特征

    D

    是突触前膜递质释放减少所致

    E

    是突触后膜对Na通透性增加所致


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    下列对抑制性突触后电位描述中正确的是（　　）。
    A

    是去极化的局部电位

    B

    具有全或无性质

    C

    是超极化局部电位

    D

    是突触前膜递质释放量减少所致

    E

    是突触后膜Na+通透性增加所致


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    突触前抑制是由于突触前膜（）
    A

    产生超极化

    B

    释放抑制性递质

    C

    递质耗竭

    D

    兴奋性递质释放减少

    E

    产生抑制性突触后电位


    正确答案： A
    解析： 通过改变突触前膜的活动，最终使突触后神经元兴奋性降低，从而引起抑制的现象叫做突触前抑制。机制是突触前膜被兴奋性递质去极化，使膜电位绝对值减少，当其发生兴奋时动作电位的幅度减少，释放的兴奋性递质减少，导致兴奋性突触后电位(EPSP)减少，表现为抑制。特点是抑制发生的部位是突触前膜，电位为去极化而不是超极化，潜伏期长，持续时间长。故选D。

  • 第13题：

    抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征SXB

    抑制性突触后电位是

    A.太极化局部电位

    B.超极化局部电位

    C.具有全或无特征

    D.突触前膜递质释放减少所致

    E.突触后膜对Na+通透性增加所致


    正确答案：B

  • 第14题：

    抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX

    抑制性突触后电位是

    A.去极化局部电位

    B.超极化局部电位

    C.具有全或无特性

    D.突触后膜NA+通透性增加所致

    E.突触前膜递质释放减少所致


    正确答案：B

  • 第15题：

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB

    下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

    A.是局部去极化电位

    B.具有"全或无"性质

    C.是局部超极化电位

    D.由突触前膜递质释放量减少所致

    E.由突触后膜对钠通透性增加所致


    正确答案：C

  • 第16题：

    抑制性突触后电位

    A. 具有“全或无”性质
    B. 是超极化电位
    C. 是兴奋性递质释放减少所致
    D. 有总和现象
    E. 突触后膜主要对C1-通透性增加所致

    答案：B,D,E
    解析：

  • 第17题：

    突触前抑制是由于突触前膜

    A、产生抑制性突触后电位
    B、释放抑制性递质
    C、产生超极化
    D、兴奋性递质释放减少
    E、递质耗竭

    答案：D
    解析：
    通过改变突触前膜的活动，最终使突触后神经元兴奋性降低，从而引起抑制的现象叫做突触前抑制。机制是突触前膜被兴奋性递质去极化，使膜电位绝对值减少，当其发生兴奋时动作电位的幅度减少，释放的兴奋性递质减少，导致兴奋性突触后电位（EPSP）减少，表现为抑制。特点是抑制发生的部位是突触前膜，电位为去极化而不是超极化，潜伏期长，持续时间长

  • 第18题：

    突触前抑制是由于突触前膜


    A.产生超极化
    B.释放抑制性递质
    C.兴奋性递质释放减少
    D.产生抑制性突触后电位

    答案：C
    解析：

  • 第19题：

    抑制性突触后电位是

    A.去极化局部电位
    B.超极化局部电位
    C.具有全或无特性
    D.突触后膜Na通透性增加所致
    E.突触前膜递质释放减少所致

    答案：B
    解析：
    抑制性突触后电位是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位。故选B。

  • 第20题：

    下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

    • A、是局部除极化电位
    • B、具有"全或无"性质
    • C、是局部超极化电位
    • D、由突触前膜递质释放量减少所致
    • E、由突触后膜对钠通透性增加所致

    正确答案:C

  • 第21题：

    多选题
    下列有关兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的论述，正确的是（　　）。
    A

    两者均是局部电位

    B

    突触前膜均是去极化

    C

    突触前膜释放的递质性质一样

    D

    突触后膜具有不同的离子通道


    正确答案： D,B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）
    A

    是局部去极化电位

    B

    具有全或无性质

    C

    是局部超极化电位

    D

    由突触前膜递质释放量减少所致

    E

    是局部去极化电位


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    抑制性突触后电位（　　）。
    A

    是局部去极化电位

    B

    具有全或无性质

    C

    是局部超极化电位

    D

    是突触前膜递质释放量减少所致

    E

    足突触后膜Na+通透性增加所致


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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