金在半导体硅中主要作为复合中心，减少载流子寿命，提高器件开关速度。
题目
金在半导体硅中主要作为复合中心，减少载流子寿命，提高器件开关速度。
相似考题
参考答案和解析
正确
更多“金在半导体硅中主要作为复合中心，减少载流子寿命，提高器件开关速度。”相关问题
-
第1题：
晶闸管（可控硅）是一种新型大功率半导体器件它主要用于（）。
- A、开关
- B、整流
- C、逆变、变频
- D、调压、调速
正确答案:A,B,C,D -
第2题：
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
正确答案:自由电子；空穴 -
第3题：
在P型半导体中，（）是少数载流子。
- A、空穴
- B、电子
- C、硅
- D、锗
正确答案:B -
第4题：
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。
- A、载流子数增加，电阻减小
- B、载流子数减少，电阻减小
- C、载流子数增加，电阻增大
- D、载流子数减少，电阻增大
正确答案:A -
第5题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
正确答案:掺杂浓度；温度 -
第6题：
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
正确答案:自由电子；空穴 -
第7题：
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
正确答案:五价；电子；空穴 -
第8题：
在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
正确答案:错误 -
第9题：
判断题注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第10题：
填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的（）而形成的，其多数载流子是（）。正确答案： 磷,自由电子解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题半导体材料的载流子是什么？若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素，形成何种类型半导体？五价？正确答案： 半导体材料的载流子是电子和空穴；在半导体硅中掺入三价电子的元素，新成P型半导体，五价则形成n型半导体。解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）和（）（）。正确答案： 降低少子寿命,加快反向复合,减薄轻掺杂区的厚度解析： 暂无解析 -
第13题：
开关量输出模块在可控硅输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件
- A、继电器
- B、三极管
- C、模拟开关
- D、固态继电器
正确答案:D -
第14题：
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴 -
第15题：
单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
正确答案:正确 -
第16题：
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
正确答案:少 -
第17题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
正确答案:掺杂浓度；温度 -
第18题：
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。 -
第19题：
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
正确答案:空穴；电子 -
第20题：
P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）
- A、不带电的
- B、带正点的
- C、带负电的
正确答案:A -
第21题：
填空题P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。正确答案： 少量硼,空穴解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。正确答案： 电子,空穴,电子,空穴,空穴,本证解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。正确答案： 电子解析： 暂无解析 -
第24题：
填空题在硅晶体中掺入少量磷，则形成（）半导体，其少数载流子为（）。正确答案： N型,空穴解析： 暂无解析