在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()
第1题:
P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。
第2题:
在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
第3题:
在半导体中,自由电子和空穴都是载流子。
第4题:
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().
第5题:
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?
第6题:
在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。
第7题:
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。
第8题:
在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
第9题:
第10题:
非平衡载流子浓度成正比;
平衡载流子浓度成正比;
非平衡载流子浓度成反比;
平衡载流子浓度成反比。
第11题:
禁带
分子
粒子
能带
第12题:
第13题:
半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。
第14题:
半导体中有()和()两种载流子,在本征半导体中掺着()阶元素,可形成P型半导体。
第15题:
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。
第16题:
N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。
第17题:
N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。
第18题:
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。
第19题:
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
第20题:
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()
第21题:
第22题:
1/4;
1/e;
1/e2;
1/2
第23题: