1、通过定域、定量扩散掺杂，不能实现的目的是： 。A．改变半导体导电类型B．改变电阻率C．形成PN结D．形成隔离

题目

1、通过定域、定量扩散掺杂，不能实现的目的是： 。

A．改变半导体导电类型

B．改变电阻率

C．形成PN结

D．形成隔离

相似考题

1.在有必要实现一定群体的利益或一个人的某种目的而通过个人努力不能实现的时候,人们就通过参与或形成组织,并通过个人的努力达到顶期目的()此题为判断题(对，错)。

2.通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散

3.一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。A、恒定总掺杂剂量B、不恒定总掺杂剂量C、恒定杂志浓度D、不恒定杂志浓度

4.技术创新扩散是技术创新通过一定渠道在潜在采用者之间传播采用的过程。它一般包括哪几个层次（）。A、企业之间的扩散B、企业内的扩散C、国际扩散D、国内扩散E、总体扩散

更多“1、通过定域、定量扩散掺杂，不能实现的目的是： 。”相关问题

  • 第1题：

    要获得图案填充区域的信息，下面方法不能实现的是（）

    • A、用【特性】查询
    • B、通过菜单【工具】︱【查询】︱【面域/质量特性】
    • C、通过菜单【工具】︱【查询】︱【列表显示】
    • D、通过菜单【工具】︱【查询】︱【面积】

    正确答案:B

  • 第2题：

    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）

    • A、 温度越高，掺杂越快
    • B、 温度越低，掺杂越快
    • C、 温度恒定，掺杂最快
    • D、 掺杂快慢与温度无关

    正确答案:A

  • 第3题：

    在有必要实现一定群体的利益或一个人的某种目的而通过个人努力不能实现的时候，人们就通过参与或形成组织，并通过个人的努力达到顶期目的。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    配送服务项目的配送方式不包括（）。

    • A、定时配送
    • B、定量配送
    • C、定时定路线配送
    • D、定量定路线配送

    正确答案:D

  • 第5题：

    单选题
    航天保险中的全部损失是指（）。
    A

    无法满足卫星运营能力标准，不能实现其预定的目的

    B

    卫星完全损毁，或无法满足卫星运营能力标准，不能实现其预定的目的

    C

    卫星完全损毁，不能实现其预定的目的

    D

    卫星部分损毁，但已不能实现其预定的目的


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    简述轻掺杂漏（LDD）工艺目的。

    正确答案： 减小源漏间的穿通和沟道漏电，提高源漏击穿电压。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    多选题
    技术创新扩散是技术创新通过一定渠道在潜在采用者之间传播采用的过程。它一般包括哪几个层次（）。
    A

    企业之间的扩散

    B

    企业内的扩散

    C

    国际扩散

    D

    国内扩散

    E

    总体扩散


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    配送服务项目的配送方式不包括（）。
    A

    定时配送

    B

    定量配送

    C

    定时定路线配送

    D

    定量定路线配送


    正确答案： D
    解析： 配送服务项目的主要配送方式包括：定时配送、定量配送、定时定量配送、定时定路线配送、即时配送等。

  • 第10题：

    单选题
    要获得图案填充区域的信息，下面方法不能实现的是（）
    A

    用【特性】查询

    B

    通过菜单【工具】︱【查询】︱【面域/质量特性】

    C

    通过菜单【工具】︱【查询】︱【列表显示】

    D

    通过菜单【工具】︱【查询】︱【面积】


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    无源基区重掺杂的目的是（）。

    正确答案： 为了降低体电阻
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷和掺杂点缺陷。由它们引起的扩散分别称为（）。

    • A、自扩散和互扩散
    • B、本征扩散和非本征扩散
    • C、无序扩散和有序扩散
    • D、稳定扩散和不稳定扩散

    正确答案:B

  • 第14题：

    使用以太网桥的主要目的是隔离（），使用VLAN的主要目的是隔离（）

    • A、广播域；冲突域
    • B、冲突域；广播域
    • C、冲突域；冲突域
    • D、广播域；广播域

    正确答案:B

  • 第15题：

    航天保险中的全部损失是指（）。

    • A、无法满足卫星运营能力标准，不能实现其预定的目的
    • B、卫星完全损毁，或无法满足卫星运营能力标准，不能实现其预定的目的
    • C、卫星完全损毁，不能实现其预定的目的
    • D、卫星部分损毁，但已不能实现其预定的目的

    正确答案:B

  • 第16题：

    本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。


    正确答案:电子；多；空穴；少

  • 第17题：

    判断题
    实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷和掺杂点缺陷。由它们引起的扩散分别称为（）。
    A

    自扩散和互扩散

    B

    本征扩散和非本征扩散

    C

    无序扩散和有序扩散

    D

    稳定扩散和不稳定扩散


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    简述进行掺杂的作用（目的）。

    正确答案： 在材料中的空轨道中加入电子，或从占有轨道中拉出点子，进而改变现有几电子能带的能级，出现能量居中的半充满能带，减小能带间的能量差，在产生大量载流子的同时使自由电子或空穴迁移时的阻碍减小
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

    正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
    （1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
    （2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。

    正确答案： 掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。
    掺杂的方法有：热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。与热扩散法相比，离子注入法掺杂的优点是：可精确控制杂质分布，掺杂纯度高、均匀性好，容易实现化合物半导体的掺杂等；缺点是：杂质离子对半导体晶格有损伤，这些损伤在某些场合完全消除是无法实现的；很浅的和很深的注入分布都难以得到；对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制；一般离子注入的设备相当昂贵。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）
    A

     温度越高，掺杂越快

    B

     温度越低，掺杂越快

    C

     温度恒定，掺杂最快

    D

     掺杂快慢与温度无关


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 应为离子注入

  • 第24题：

    填空题
    由点缺陷（肖特基和弗兰克尔缺陷）引起的扩散为（）扩散，空位来源于掺杂而引起的扩散为（）扩散。

    正确答案： 本征,非本征
    解析： 暂无解析

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