14、增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

题目

14、增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

相似考题

1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零

3.在脉冲电路中,三极管主要工作在()和饱和区,经过放大区的时间则是很短的。A、放大区B、截止区C、截止放大区D、饱和放大区

4.半导体开关三极管正常工作的条件是工作在( )。A.截止区、饱和区B.截止区、放大区C.放大区、饱和区D.耗散区、放大区

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  • 第1题：

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案：A

  • 第2题：

    增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
    因为增强型MOS管要靠外加栅压才能形成导电通道，所以不适用于自给栅偏压电路形式。
    略

  • 第3题：

    稳压管在稳压电路中，必须工作在（）

    • A、饱和区
    • B、放大区
    • C、截止区
    • D、反向击穿区

    正确答案:D

  • 第4题：

    三极管作为开关时工作区域是（）

    • A、饱和区+放大区
    • B、击穿区+截止区
    • C、放大区+击穿区
    • D、饱和区+截止区

    正确答案:D

  • 第5题：

    晶体三极管在电路中用作“开关”时，不能工作在（）。

    • A、截止区和放大区
    • B、放大区和饱和区
    • C、截止区和饱和区
    • D、放大区

    正确答案:A,B,D

  • 第6题：

    三极管作放大管时一般工作在（）。

    • A、放大区
    • B、截止区
    • C、饱和区

    正确答案:A

  • 第7题：

    UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第8题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第9题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第10题：

    EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第11题：

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第12题：

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    零

    D

    不能确定


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：错

  • 第14题：

    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

    • A、正极性
    • B、负极性
    • C、零
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第15题：

    集成运放工作在非线形区时，若同相端输入电压大于反相端输入电压，输出电压为（）。

    • A、负的饱和值
    • B、零
    • C、正的饱和值
    • D、不确定

    正确答案:C

  • 第16题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第18题：

    耗尽型MOS管工作在放大状态时，其栅压可正可负。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第20题：

    场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。


    正确答案:漏极

  • 第21题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第22题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第23题：

    判断题
    从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
    A

    增大

    B

    减小

    C

    不变

    D

    先减小后增大


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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