例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
题目
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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第1题：
例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
正确答案:1.分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上
2.旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个硅片表面
3.旋转甩掉，甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层
4.溶剂挥发，以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥 -
第2题：
例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。
正确答案:硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。 -
第3题：
请例举三个应用在大型工厂的设备。
正确答案:大型工业工厂设备有：烧玻璃燃烧器、印刷机、烧毛头机、金属熔炉、大型的热水或蒸汽锅炉、燃气空调、所有需要产生高热的炉具如高炉、高温窑等。 -
第4题：
将钢在固态下通过加热、保温、冷却三个步骤使钢的组织结构发生变化获得所需性能的工艺称为（）。
正确答案:热处理 -
第5题：
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。 -
第6题：
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
正确答案:错误 -
第7题：
问答题例举并描述薄膜生长的三个阶段。正确答案： （1）晶核形成
分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。
（2）凝聚成束
形成（Si）岛，且岛不断长大
（3）连续成膜
岛束汇合并形成固态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。正确答案： 硅中固态杂质扩散的三个步骤：
（1）预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立
（2）推进：这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深
（3）激活：这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。正确答案： 1，分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上
2，旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个硅片表面
3，旋转甩掉，甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层
4，溶剂挥发，以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥。解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。正确答案： 预淀积,推进,激活解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题例举出传统装配的4个步骤。正确答案： 传统装配的4个步骤：1.背面减薄；2.分片；3.装架；4.引线键合解析： 暂无解析 -
第13题：
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
正确答案: 在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进行扩散。主要有三种扩散模式：①晶粒尺寸较小或晶粒内的扩散较快，以至从两边晶粒间界向晶粒内的扩散相互重叠，形成如图A类分布。②晶粒较大或晶粒内的扩散较慢，所以离晶粒间界较远处杂质原子很少，形成如图B类分布。③与晶粒间界扩散相比，晶粒内的扩散可以忽略不计，因此形成如图C类分布。所以多晶扩散要比单晶扩散快得多，其扩散速度一般要大两个数量级。 -
第14题：
例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？
正确答案:第一步：用碳加热硅石来制备冶金级硅
第二步：通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷
第三步：利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅
纯度能达到99.99999999% -
第15题：
例举德巴金主要的三个不良反应。
正确答案: 1）胃肠道系统：一些病人可出现胃肠系统异常（恶心胃痛和腹泻）常常发生于治疗开始阶段这些异常通常在继续服药几天后消失
2）肝胆系统：曾有与剂量无关的严重（有时致命）肝脏功能损伤的少见病例报道
3）意识模糊报道丙戊酸钠治疗中有些病人出现木僵或嗜睡有时导致一过性昏迷（脑病）
上述症状孤立或与治疗中惊厥发生率增加有关终止丙戊酸盐治疗或降低剂量后会减轻 -
第16题：
例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
正确答案:五个进行在线参数测试的理由为：
（1）鉴别工艺问题：硅片制造过程中工艺问题的早期鉴定（而不是等到已经完成了硅片制造才发现有问题进行测试。
（2）通过/失效标准：依据通过/失效标准决定硅片是否继续后面的制造程序。
（3）数据收集：为了改进工艺，收集硅片数据以评估工艺倾向（如沟道长度的改变）。
（4）特殊测试：在需要的时候评估特殊性能参数（如特殊客户需求）。
（5）硅片级可靠性：需要确定可靠性与工艺条件的联系时，进行随机的硅片级可靠性测试。 -
第17题：
还有哪些因素会影响测量结果？例举三个例子。
正确答案: ①周围环境温度的变化使各绕组电阻发生变化，从而产生线性误差；
②电枢反应，即由于电枢电流所产生的磁场会影响测速发电机的内磁场，从而引起测量误差；
③电枢回路的电阻值随电枢电流变化而变化，破坏了输出电压与转速的线性关系。 -
第18题：
问答题例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？正确答案： 第一步：用碳加热硅石来制备冶金级硅
第二步：通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷
第三步：利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅
纯度能达到99.99999999%解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。正确答案： 1.对下层栅氧化层具有高的选择比
2.非常好的均匀性和可重复性。
3.高度的各向异性解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题例举双大马士革金属化过程的10个步骤。正确答案： （1）SiO2淀积：用PECVD淀积内层氧化硅到希望的厚度。
（2）SiN刻蚀阻挡层淀积：厚250？的SiN刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上。SiN需要致密，没有针孔，因此使用HDPCVD。
（3）确定通孔图形和刻蚀：光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入SiN中，刻蚀完成后去掉光刻
（4）淀积保留介质的SiO2：为保留层间介质，PECVD氧化硅淀积。
（5）确定互连图形：光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。
（6）刻蚀互连槽和通孔。
（7）淀积阻挡层金属：在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PCVD淀积钽和氮化钽扩散层。
（8）淀积铜种子层：用CVD淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔。
（9）淀积铜填充：用ECD淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽。
（10）用CMP清除额外的铜：用化学机械平坦清除额外的铜。解析： 暂无解析 -
第21题：
多选题砂浆和混凝土用硅灰按其使用时的状态，可分为（）？A硅灰剂
B硅灰浆
C硅灰
D水性硅灰
E固态硅灰
正确答案： C,D解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？正确答案： 界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。解析： 暂无解析 -
第23题：
判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析