例举并描述薄膜生长的三个阶段。
题目
例举并描述薄膜生长的三个阶段。
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第1题：
例举并描述6种不同的塑料封装形式。
正确答案:6种不同的塑料封装形式：
（1）双列直插封装（DIP）：典型有两列插孔式管脚向下弯，穿过电路板上的孔。
（2）单列直插封装（SIP）：是DIP的替代品，用以减小集成电路组件本体所占据电路板的空间。
（3）薄小型封装（TSOP）：广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。
（4）西边形扁平封装（QFP）：是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表面贴装组件。
（5）具有J性管脚的塑封电极芯片载体（PLCC）
（6）无引线芯片载体（LCC）：是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面的封装形式 -
第2题：
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
正确答案:金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。 -
第3题：
例举德巴金主要的三个不良反应。
正确答案: 1）胃肠道系统：一些病人可出现胃肠系统异常（恶心胃痛和腹泻）常常发生于治疗开始阶段这些异常通常在继续服药几天后消失
2）肝胆系统：曾有与剂量无关的严重（有时致命）肝脏功能损伤的少见病例报道
3）意识模糊报道丙戊酸钠治疗中有些病人出现木僵或嗜睡有时导致一过性昏迷（脑病）
上述症状孤立或与治疗中惊厥发生率增加有关终止丙戊酸盐治疗或降低剂量后会减轻 -
第4题：
花卉的生长发育阶段分为：种子休眠与萌发、营养生长、（）三个阶段。
正确答案:生植生长 -
第5题：
作物生长进程可分为哪三个阶段？并写出第一、第二阶段的数学模型。
正确答案: ①指数增长期。在植株生长初期，群体干物质积累呈指数增长，可用下式表示：W1＝W0•e^K（t1-t0）。其中W1为测定时的干重；W0为原始干重；tl为测Wl时的时间；t0为测W0时的时间；t1—t0为这一时期经历的时间；K为干重增长系数。
②直线增长期。在这一时期，群体干物重的增长速度维持定值，干物质依时间成正比增加，可用下式表示：W2＝W1+P（t2一t1）。W1表示该时期开始时的干物重；P表示群体干物重增长速度；t2一t1表示该时期所经历的时间（日数）。
③减缓停滞期。随着叶片变黄（或脱落）和机能衰退，群体干物质积累速度减缓。当到成熟期时，生长进入停滞状态，干物质积累停止，植株干重趋于稳定不再增加。 -
第6题：
还有哪些因素会影响测量结果？例举三个例子。
正确答案: ①周围环境温度的变化使各绕组电阻发生变化，从而产生线性误差；
②电枢反应，即由于电枢电流所产生的磁场会影响测速发电机的内磁场，从而引起测量误差；
③电枢回路的电阻值随电枢电流变化而变化，破坏了输出电压与转速的线性关系。 -
第7题：
问答题例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章）正确答案： 硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。正确答案： 硅中固态杂质扩散的三个步骤：
（1）预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立
（2）推进：这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深
（3）激活：这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。正确答案： 芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄膜生长区和抛光区6个生产区域：
扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备；
②光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上；
③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形；
④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片；
⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。
⑥抛光，即CMP（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题立式炉系统的五部分是什么？例举并简单描述？正确答案： 工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统
工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛控制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？正确答案： 界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题列举并描述薄膜生长的三个阶段。正确答案： 第一步是晶核形成：成束的稳定小晶核形成，这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来，形成附着在硅片表面的分离的小膜层的时候。晶核直接形成于硅片表面，是薄膜进一步生长的基础；
第二步是聚集成束，也称为岛生长。这些随机方向的岛束依照表面的迁移率和束密度来生长。
岛束不断生长，直到第三步即形成连续的膜，这些岛束汇聚合并形成固态的薄层并延伸铺满衬底表面。解析： 暂无解析 -
第13题：
例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。
正确答案:芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄膜生长区和抛光区6个生产区域：
①扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备；
②光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上；
③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形；
④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片；
⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。
⑥抛光，即CMP（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化。 -
第14题：
请例举三个应用在大型工厂的设备。
正确答案:大型工业工厂设备有：烧玻璃燃烧器、印刷机、烧毛头机、金属熔炉、大型的热水或蒸汽锅炉、燃气空调、所有需要产生高热的炉具如高炉、高温窑等。 -
第15题：
鸡分为哪三个生长发育阶段？
正确答案:雏鸡、育成鸡和成年鸡三个生长发育阶段。 -
第16题：
塑料薄膜育秧的管理，可以分为（）、（）、揭膜期三个阶段。
正确答案:密封期；炼苗期 -
第17题：
例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
正确答案:汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子 是有惰性气体原子和卤素构成 只存在与准稳定激发态。 -
第18题：
问答题例举并描述薄膜生长的三个阶段。正确答案： （1）晶核形成
分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。
（2）凝聚成束
形成（Si）岛，且岛不断长大
（3）连续成膜
岛束汇合并形成固态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的。解析： 暂无解析 -
第19题：
填空题花卉的生长发育阶段分为：种子休眠与萌发、营养生长、（）三个阶段。正确答案： 生植生长解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。正确答案： 汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定激发态。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。正确答案： 金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？正确答案： 6种不同的塑料封装形式：
（1）双列直插封装（DIP）：典型有两列插孔式管脚向下弯，穿过电路板上的孔。
（2）单列直插封装（SIP）：是DIP的替代品，用以减小集成电路组件本体所占据电路板的空间。
（3）薄小型封装（TSOP）：广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。
（4）西边形扁平封装（QFP）：是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表面贴装组件。
（5）具有J性管脚的塑封电极芯片载体（PLCC.
（6）无引线芯片载体（LCC.：是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面的封装形式解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题什么是薄膜？例举并描述可接受的薄膜的8个特性。正确答案： 薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。
好的台阶覆盖能力、高的深宽比填隙能力（>3：1）
厚度均匀（避免针孔、缺陷）、高纯度和高密度、受控的化学剂量
结构完整和低应力、好的粘附性（避免分层、开裂致漏电）解析： 暂无解析