半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（）

第1题：

第2题：

表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）

正确答案:正确

第3题：

为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？

正确答案: 半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。生产中的污染，除了由于化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要汚染来源。例如，PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快速扩散，使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。

第4题：

沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

• A、功能
• B、成品率
• C、物理性能
• D、电学性能
• E、外观

正确答案:B,D

第5题：

半导体或芯片的0.25um、0.18um、90nm、65nm工艺指的是什么？

正确答案: 这些数字表示制作半导体或芯片的技术节点也称作工艺节点。实际物理意义有“半节距”、“物理栅长”、“制程线宽”等。
半导体业界通常使用“半节距”、“物理栅长（MOS管栅极的长度）”和“结深”等参数来描述芯片的集成度，这些参数越小，芯片的集成度越高。举个例子，某种芯片采用90nm工艺，其中半节距为90nm，而晶体管的物理栅长为37nm。半节距（half-pitch），是指芯片内部互联线间距离的一半，也即光刻间距的一半，如上图。由于历年来每一个新的技术节点总是用于制造DRAM芯片，因此最新的技术节点往往是指DRAM的半节距。另外，在技术文章中还有两种与“半节距”意义相近的表达方式，就是“线宽”、“线距”和“特征尺寸”，如果线宽等于线距，则半节距就等于线宽、线距，它们不过是对同一个数据的不同表达。

第6题：

从制造工艺角度，半导体存储器可分为（）、（）、（）。

正确答案:双极型；CMOS型；HMOS型

第7题：

80C51芯片采用的半导体工艺是（）。

• A、CMOS
• B、HMOS
• C、CHMOS
• D、NMOS

正确答案:C

第8题：

世界上最大的半导体芯片制造商是（）。

• A、德州仪器
• B、NEC
• C、三星
• D、英特尔

正确答案:D

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。

第14题：

气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

正确答案:完整；成品；可靠性

第15题：

简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？

正确答案: 1、能很好的阻挡材料扩散；
2、高电导率，低欧姆接触电阻；
3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；
4、抗电迁能力强；
5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；
6、抗侵蚀和抗氧化性好。
7、具有高的导电率和纯度。
8、与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。
9、与半导体材料连接时接触电阻低。
10、能够淀积出均匀而且没有“空洞”的薄膜，易于填充通孔。
11、易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。
12、很好的耐腐蚀性。
13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性。

第16题：

铸铁工艺对铁水质量要求不严的是铁水温度。

正确答案:错误

第17题：

工艺分析就是从（）的角度对零件的（）等进行分析研究

• A、结构工艺性、技术要求、加工制造、材料的加工性能
• B、技术要求、结构工艺性、加工制造、材料的加工性能
• C、加工制造、技术要求、结构工艺性、材料的的加工性能
• D、材料的加工性能、结构工艺性、加工制造、技术要求

正确答案:C

第18题：

半导体（）芯片顶部开有一个圆形石英窗口。U盘、MP3播放器、数码相机、多媒体手机等设备一般采用半导体（）芯片构成存储器。

正确答案:（UV-）EPROM；FlashMemory

第19题：

集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。

正确答案:晶体管；电阻；电容；0.13

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：