通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能达到的目的是A．去除金属表面有机物B．释放金属表层气体C．释放金属内部应力D．在金属表面形成氧化膜E．降低金属热膨胀系数

题目

通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能达到的目的是

A．去除金属表面有机物

B．释放金属表层气体

C．释放金属内部应力

D．在金属表面形成氧化膜

E．降低金属热膨胀系数

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1.通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作能达到A．去除金属表面有机物B．释放金属表层气体C．释放金属内部应力D．在金属表面形成氧化膜E．降低金属热膨胀系数

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3.某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下操作步骤错误的是A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

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  • 第1题：

    通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能到的是

    A．去除金属表面有机物

    B．释放金属表层气体

    C．释放金属内部应力

    D．在金属表面形成氧化膜

    E．降低金属热膨胀系数


    正确答案：E

  • 第2题：

    金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

    A.防止金属表面变色
    B.利于形成氧化膜
    C.便于操作
    D.形成较规则的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
    E.防止磨料成分污染金属表面

    答案：D
    解析：

  • 第3题：

    某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是错误的

    A.一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
    B.使用橡皮轮磨光金属表面
    C.用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
    D.用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
    E.防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

    答案：B
    解析：

  • 第4题：

    金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）

    • A、去除铸造过程中形成的氧化膜
    • B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物
    • C、排除合金中残留的气体
    • D、避免瓷熔附时出现气泡
    • E、在基底表面形成氧化膜

    正确答案:C,D,E

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