迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

题目

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

相似考题

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

2.下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体

3.在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

4.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

更多“迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）”相关问题

  • 第1题：

    在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

    A.温度

    B.掺杂工艺

    C.杂质浓度

    D.晶体缺陷

    E.空穴

    F.自由电子


    参考答案：AC

  • 第2题：

    在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷

    正确答案:A

  • 第3题：

    半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

    • A、越高
    • B、不确定
    • C、越低
    • D、不变

    正确答案:C

  • 第4题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷
    • E、空穴
    • F、自由电子

    正确答案:A,C

  • 第5题：

    Electrical conductivity（）

    • A、电导率
    • B、载流子数
    • C、载流子迁移率

    正确答案:A

  • 第6题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第7题：

    杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。


    正确答案:本征激发

  • 第8题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第9题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第10题：

    填空题
    本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

    正确答案： 空穴,五价,N,电子
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。

    正确答案： 载流子的浓度
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）

    A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率
    B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度
    C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率
    D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率

    答案：C
    解析：

  • 第14题：

    本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。


    正确答案:空穴；五价；N；电子

  • 第15题：

    掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关


    正确答案:杂质的含量；温度；本征激励；温度

  • 第16题：

    在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。


    正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子

  • 第17题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第18题：

    半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的


    正确答案:正确

  • 第19题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第20题：

    光敏电阻吸收了光量子能量，使得载流子迁移率增加，导致电导率增加。


    正确答案:正确

  • 第21题：

    下列物质中载流子最多的是（）。

    • A、本征半导体
    • B、掺杂半导体
    • C、导体
    • D、绝缘体

    正确答案:C

  • 第22题：

    单选题
    半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
    A

    越高

    B

    不确定

    C

    越低

    D

    不变


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    Electrical conductivity（）
    A

    电导率

    B

    载流子数

    C

    载流子迁移率


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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